쇼트키 다이오드는 설계 트렌드에서 회로 효율성을 향상시킵니다

비효율적인 다이오드가 회로 디자인을 제한하는 것에 좌절해?스코트키 다이오드 를 소개 해 보십시오. 전자 공학자 들 의 비밀 무기 로서 뛰어난 속도 와 효율성 을 통해 성능 장벽 을 허물고 있습니다..

스콧키 다이오드 (Schottky barrier diode) 또는 핫 캐리어 다이오드 (hot carrier diode) 라고도 불립니다.표준 다이오드에서 발견되는 일반적인 반도체 반도체 결합 대신 독특한 금속 반도체 결합을 특징으로합니다.이 근본적인 구조적 차이점은 그들의 독특한 성능 장점을 만듭니다.

쇼트키 다이오드는 두 가지 큰 이점을 제공합니다.

• 전속 전압:표준 실리콘 PN 접합 다이오드가 일반적으로 600-700mV를 필요로하는 반면, 쇼트키 다이오드는 150-450mV에서만 작동하여 에너지 손실과 열 발생을 크게 줄인다.
• 더 빨리 전환:일극성 장치로서, 쇼트키 다이오드는 단절 용량으로 제한된 속도로 전환하여 소수 운반 저장 효과에 영향을받는 PN 단절 다이오드를 능가합니다.

마법은 금속 반도체 인터페이스에서 일어난다. 재료들 사이의 작업 기능 차이로 인해 샷키 장벽이 형성됩니다.전자들은 반도체에서 금속으로 쉽게 이 장벽을 통과합니다., 역편향 편향은 전류 흐름을 차단합니다.

재료 선택은 작동 특성을 결정합니다. 일반적인 구성은 N형 실리콘과 결합 된 몰리브덴, 플래티넘 또는 울프스탄과 같은 금속을 사용합니다.P형 반도체는 낮은 전압을 제공합니다., 더 높은 역 누출 전류가 그들을 덜 실용적으로 만듭니다.

더 높은 도핑 농도는 팽창 폭을 줄여 극심한 수준에서 양자 터널링을 가능하게 합니다.그러나 과도한 누출이나 저항을 피하기 위해 정확한 통제가 필요합니다..

날카로운 접촉 가장자리는 역분열 전압을 제한하는 높은 전기장을 생성합니다. 보호 기술에는 다음이 포함됩니다.

• 보호 고리 (더 큰 고전도 다이오드용)
• 금속층 중복 (작은 저전압 다이오드)

전력 응용 프로그램에서, 파생충 저항은 묻혀있는 n + 및 겹살 n 유형 층에서 중요하게됩니다.쇼트키 다이오드는 일반적으로 실패하기 전에 비교 가능한 PN 접합 다이오드보다 적은 전력을 처리합니다..

쇼트키 다이오드는 역회복 시간 (trr) 에서 PN 접합 다이오드를 극적으로 능가합니다.작은 신호 를 내는 쇼트키 다이오드 는 약 100 피코 초 의 시간 내에 전환 할 수 있다, 전력 버전은 수십 나노초를 관리합니다.

샷키 다이오드는 다음과 같은 중요한 역할을 합니다.

• 전압 클램핑 및 트랜지스터 반 포화
• 태양 시스템에서 역류 보호
• 스위치 모드 전원 공급 장치
• 전원 OR 회로
• 샘플링 및 보유 회로
• 양자 장치 제어

실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드는 다음과 같은 뛰어난 성능을 제공합니다.

• 극적으로 낮은 역 누출
• 더 높은 전압 (1.4-1.8V 25°C에서)
• 역전압 1700V까지
• 열 안정성 500K (200°C) 까지

인기 있는 쇼트키 다이오드에는 수정용 1N58xx 시리즈 (1N581x, 1N582x) 와 고주파 애플리케이션용 1N5711 및 BAT41-49 시리즈와 같은 작은 신호 모델이 포함됩니다.그들은 또한 베이커 클램프로 7400 TTL 논리 가족에 필수적입니다.